近日，澈芯科技自主研发的12英寸碳化硅（SiC）晶圆缺陷检测设备Thea C520顺利完成出厂发货，启运至北方某碳化硅衬底头部大客户。此次发运标志着国产12英寸SiC缺陷检测设备正式迈入产线验证新阶段，为我国第三代半导体高端检测装备自主可控注入强劲信心。
直面全球产业瓶颈，剑指12英寸碳化硅量产痛点
作为第三代半导体规模化发展的核心载体，12英寸碳化硅衬底被视为推动碳化硅材料降本增效的关键路径，已成为全球半导体产业竞争的战略焦点。12英寸碳化硅衬底晶圆由于生产加工难度大、良率低，单片市场价格一度达到2万美金（约15万元人民币）。
然而，超大尺寸碳化硅的产业化之路仍面临严峻挑战。微管、位错、裂纹、层错等致命缺陷直接影响衬底良率与后续芯片性能。澈芯研发的点激光螺旋扫描技术，正是破解这一难题的核心。
点激光螺旋扫描技术：重新定义透明晶圆检测精度
澈芯科技深刻理解SiC、GaN等透明/半透明晶圆的检测物理本质。本次交付的Thea C520，采用点激光螺旋扫描技术架构，以五技术合一统一物理机制——暗场、明场、坡度、相位、光致发光（PL）集成于单一光学平台，专为透明晶圆检测场景打造。
点激光螺旋扫描，全区域精准覆盖
区别于传统面阵成像方式，Thea C520采用点激光聚焦扫描结合高速螺旋运动轨迹，最大转速达数千转/分钟，实现全区域无死角的高精度数据采集。
双波长层析技术，穿透透明介质
采用405nm斜入射激光与355nm正入射激光的协同架构。355nm激光波段具备PL功能，针对SiC晶圆的TED、TSD、BPD、SF、Pit、Bump、Scratch、Carrot、Downfall、Micropipe等缺陷具备极好的检测效果，颗粒物灵敏度达100nm以下。
硬核实测：与国际头部企业产品全维度对标
Thea C520与国际头部企业产品已完成全维度实测对标，覆盖六种核心缺陷类型。实测数据显示，六项指标全部通过，部分指标实现显著超越。
Thea C520缺陷展示（微管、划痕、颗粒、凹坑等）
全链自主创新，夯实国产装备核心竞争力
澈芯科技自2021年成立以来，始终专注于先进光刻、检测、测量等高端装备的研发与产业化。公司构建了覆盖“光、机、电、算、软、工艺”的全链条自主研发与生产体系。核心研发团队由长期深耕半导体前道光刻和量检测设备行业的博士、专家组成。公司产品线覆盖无图形晶圆缺陷检测、有图形晶圆缺陷检测、套刻误差测量及光刻设备等领域，部分设备有效填补了第三代半导体前道量检测、光刻设备国产供应链空白。
产业价值与战略意义
Thea C520有效破解全球12英寸SiC降本与质量稳定性的核心矛盾，实现检测设备从“进口依赖”到“自主可控”的跨越。据行业数据，缺陷硅晶圆每年可给全球半导体行业造成100亿至200亿美元的损失。大尺寸碳化硅衬底位错缺陷的传统检测手段——腐蚀法，从生产成本角度已无法被接受，而无损检测技术的应用，使得从衬底—外延—器件的全链缺陷追踪成为可能。
关于澈芯科技
上海澈芯科技有限公司（PureChip Technology）成立于2021年，是一家专注于先进光刻、检测、测量等高端半导体装备研发与量产的高科技创新企业。公司总部研发中心位于上海，致力于为化合物半导体、先进封装、MEMS、CIS及AR等领域提供高性能、高可靠性的设备解决方案。
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